Транзистор P-MOSFET Vishay SUD19P06-60-GE3, TrenchFET, DPAK, 60 В (Vds), 8,19 А (набір 20 шт.)
2 720 ₴
- В наявності
- Код: TM232672
Транзистор P-MOSFET Vishay SUD19P06-60-GE3, TrenchFET, DPAK, 60 В (Vds), 8,19 А (набір 20 шт.)В наявності
2 720 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET Vishay SUD19P06-60-GE3 — це польовий транзистор із каналом збагачення, виготовлений за технологією TrenchFET®. Корпус DPAK (TO252) призначений для поверхневого монтажу.
- Тип транзистора: P-MOSFET, польовий
- Технологія: TrenchFET®
- Корпус: DPAK (TO252), поверхневий монтаж
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Опір у відкритому стані (Rds) становить 60 мОм. Максимальна потужність розсіювання обмежена значенням 2,3 Вт. Заряд затвора дорівнює 26 нКл.
Конструкція та монтаж
Компонент виконаний у корпусі DPAK, який також позначається як TO252. Це забезпечує поверхневий тип монтажу на друкованій платі. Канал транзистора є збагаченим, а полярність — уніполярна.
Комплектація
У комплекті поставки знаходиться 20 штук транзисторів. Модель SUD19P06-60-GE3 має заряд затвора 26 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 2.3 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 60 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK, TO252 |
| Технологія | TrenchFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 720 ₴