Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP200NF03, 30 В, 120 А, 300 Вт (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP200NF03 — це польовий транзистор із каналом збагачення, що працює за технологією STripFET™ III. Прилад розрахований на максимальну напругу стік-витік 30 В та струм стоку 120 А при потужності розсіювання 300 Вт.

• Тип транзистора: польовий N-MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік: 30 В
• Максимальний струм стоку: 120 А
• Потужність розсіювання: 300 Вт
• Опір у відкритому стані: 3.6 мОм
• Корпус: TO220-3, вставний монтаж
• Технологія: STripFET™ III
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Електричні параметри та потужність

Транзистор має максимальну напругу стік-витік 30 В та максимально допустиму напругу затвор-витік 20 В. Максимально допустимий струм стоку становить 120 А, а опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 3.6 мОм. Максимальна потужність розсіювання визначена на рівні 300 Вт.

Конструкція та монтаж

Компонент виконаний у корпусі TO220-3 із вставним типом монтажу. Це уніполярний польовий транзистор із збагачуваним каналом. Згідно з даними магазину, імпульсний струм дренажу може досягати 480 А, а заряд затвора становить 0.14 мкКл.

Комплектація

У комплекті постачається 10 шт. транзисторів.