Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF13NM60N, 600 В, 6,93 А, 25 Вт (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF13NM60N — це польовий транзистор з каналом збагачення, виготовлений за технологією MDmesh™ II. Пристрій розрахований на максимальну напругу стік-витік 600 В та струм стоку 6,93 А при потужності розсіювання 25 Вт.

• Тип транзистора: N-MOSFET, польовий, канал збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: 600 В
• Максимальний струм стоку: 6,93 А
• Потужність розсіювання: 25 Вт
• Опір у відкритому стані (Rds): 360 мОм
• Корпус: TO220FP, вставний монтаж
• Технологія: MDmesh™ II
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу стік-витік 600 В та максимально допустимий струм стоку 6,93 А. Максимальна потужність розсіювання становить 25 Вт, а опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 360 мОм. Максимально допустима напруга затвор-витік обмежена значенням 25 В.

Конструкція та монтаж

Компонент виконаний у корпусі TO220FP з вставним типом монтажу. Це однополярний транзистор з каналом збагачення, що відповідає специфікації N-MOSFET. Технологія виробництва MDmesh™ II визначає конструктивні особливості структури приладу.

Комплектація та ідентифікація

У наборі постачається 10 транзисторів STF13NM60N.