Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD35NF06LT4, 60В, 35А, DPAK — набір 20 шт.
3 540 ₴
- В наявності
- Код: TM232656
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD35NF06LT4, 60В, 35А, DPAK — набір 20 шт.В наявності
3 540 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STripFET™ II від STMicroelectronics у корпусі DPAK. Модель STD35NF06LT4 розрахована на максимальну напругу стік-витік 60 В та струм стоку 35 А при потужності розсіювання 80 Вт.
- Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
- Максимальна напруга стік-витік: 60 В
- Максимальний струм стоку: 35 А
- Потужність розсіювання: 80 Вт
- Опір у відкритому стані: 17 мОм
- Корпус: DPAK (поверхневий монтаж)
- Технологія: STripFET™ II
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Напруга та струм
Максимально допустима напруга стік-витік становить 60 В, а напруга затвор-витік — 16 В. Максимальний струм стоку дорівнює 35 А. Опір у відкритому стані (Rds) — 17 мОм.
Технологія та корпус
Транзистор виготовлений за технологією STripFET™ II та має польовий тип з каналом типу wzbogacany (збагачений). Полярність — уніполярна. Корпус DPAK призначений для поверхневого монтажу (SMD).
Комплектація та монтаж
У комплекті поставляється 20 шт. транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 80 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 16 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 35 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 17 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | STripFET™ II |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 540 ₴