Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD25NF10T4, 100 В, 21 А, DPAK (набір 20 шт.)
3 040 ₴
- В наявності
- Код: TM232655
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD25NF10T4, 100 В, 21 А, DPAK (набір 20 шт.)В наявності
3 040 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD25NF10T4 — це польовий транзистор з каналом збагачення у корпусі DPAK. Прилад розрахований на максимальну напругу стік-витік 100 В та струм стоку 21 А.
- Тип транзистора: польовий (N-MOSFET)
- Максимальна напруга стік-витік: 100 В
- Максимальний струм стоку: 21 А
- Потужність розсіювання: 100 Вт
- Опір у відкритому стані: 38 мОм
- Корпус: DPAK, монтаж поверхневий
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну потужність розсіювання 100 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік становить 20 В, а опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 38 мОм.
Конструкція та монтаж
Використовується поверхневий тип монтажу. Корпус: DPAK. Технологія SuperMesh™ та версія ESD вказані у специфікації виробника.
Канал та полярність
Транзистор має канал збагачення та є уніполярним приладом. У наборі поставляється 20 шт. транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 100 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 21 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 38 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | SuperMesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 040 ₴