Транзистор IGBT-модуль SEMIKRON DANFOSS, напівміст, 1200 В, 774 А, SEMITRANS3 (SKM150GB12VG 22892052)

Транзистор IGBT-модуль SEMIKRON DANFOSS SKM150GB12VG — напівпровідниковий модуль типу IGBT із топологією напівмоста в корпусі SEMITRANS3. Максимальна зворотна напруга модуля — 1,2 кВ, максимально допустимий струм колектора — 774 А.

• Максимальна зворотна напруга: 1,2 кВ
• Струм колектора: 774 А
• Напруга затвор – емітер: ±20 В
• Корпус: SEMITRANS3
• Топологія: напівміст IGBT
• Монтаж: прикручуваний, конектори FASTON

Електричні параметри

Максимальна зворотна напруга становить 1,2 кВ. Максимально допустимий струм колектора — 774 А. Напруга затвор – емітер — ±20 В.

Структура і топологія

Структура напівпровідника — транзистор/транзистор, тобто модуль містить два транзистори. Топологія модуля — напівміст IGBT.

Корпус і монтаж

Модуль виконаний у корпусі SEMITRANS3. Механічний монтаж — прикручуваний. Електричний монтаж — конектори FASTON і прикручування.

Застосування

За даними виробника, модуль застосовується в джерелах безперервного живлення (UPS) та інверторах. Також у застосуваннях указано фотовольтаїку.