Транзистор P-MOSFET ONSEMI NVTFS5116PLWFTAG, -60 В, -14 А, 10 Вт (набір 20 шт.)
2 850 ₴
- В наявності
- Код: TM232641
Транзистор P-MOSFET ONSEMI NVTFS5116PLWFTAG, -60 В, -14 А, 10 Вт (набір 20 шт.)В наявності
2 850 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET ONSEMI NVTFS5116PLWFTAG — уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення. Призначений для поверхневого монтажу в корпусі WDFNW8. Максимальна напруга затвор-витік становить 20 В, а струм стоку — -14 А.
- Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
- Максимальний струм стоку: -14 А
- Максимальна потужність розсіювання: 10 Вт
- Опір у відкритому стані (Rds): 52 мОм
- Корпус: WDFNW8, монтаж: поверхневий
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу затвор-витік 20 В та максимальну потужність розсіювання 10 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 52 мОм. Заряд затвора становить 25 нКл.
Конструкція та монтаж
Компонент виконаний у корпусі WDFNW8 для поверхневого монтажу (SMD). Полярність транзистора — уніполярна, тип каналу — збагачуваний. Це визначає специфіку його підключення та керування в електричних схемах.
Комплектація
У наборі постачається 20 шт. транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 10 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 52 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | WDFNW8 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 850 ₴