Транзистор ONSEMI MJD122G NPN Darlington 100V 8A DPAK (набір 20 шт.)
2 490 ₴
- В наявності
- Код: TM232635
Транзистор ONSEMI MJD122G NPN Darlington 100V 8A DPAK (набір 20 шт.)В наявності
2 490 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор ONSEMI MJD122G — це біполярний компонент типу NPN з архітектурою Дарлінгтона. Товар поставляється комплектом із 20 одиниць у корпусі DPAK для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип транзистора: NPN, біполярний, Дарлінгтон
- Напруга колектор-емітер: 100 В
- Струм колектора: 8 А
- Коефіцієнт підсилення (hFE): 300
- Розсіювана потужність: 1,75 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Гранична частота: 4 МГц
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Компонент розрахований на напругу колектор-емітер 100 В та постійний струм колектора до 8 А. Коефіцієнт підсилення за струмом становить 300. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 1,75 Вт.
Корпус та монтаж
Транзистор виконаний у корпусі DPAK. Тип монтажу — поверхневий (SMD). Максимальна гранична частота становить 4 МГц.
Комплектація
У пакуванні міститься 20 транзисторів MJD122G.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.75 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 100 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 8 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Додаткові характеристики | |
| Гранична частота передачі | 4 МГц |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 490 ₴