Транзистор IXYS IXTA76P10T, P-MOSFET, 298 Вт (5 шт.)
2 760 ₴
- В наявності
- Код: TM232626
Транзистор IXYS IXTA76P10T, P-MOSFET, 298 Вт (5 шт.)В наявності
2 760 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор IXYS IXTA76P10T — це польовий транзистор типу P-MOSFET із технологією TrenchP™. Пристрій має потужність розсіювання 298 Вт.
- Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
- Напруга затвор-витік: 15 В
- Час готовності: 70 нс
- Потужність розсіювання: 298 Вт
- Опір у відкритому стані: 25 мОм
- Корпус: TO263, монтаж поверхневий
- Кількість у комплекті: 5 шт.
Конструкція та технологія
Компонент виконаний у корпусі TO263 для поверхневого монтажу. Використовується технологія TrenchP™.
Комплектація
У наборі постачається 5 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 298 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 15 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 25 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 70 нс |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO263 |
| Технологія | TrenchP™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 760 ₴