Транзистор N-MOSFET Infineon IPP114N12N3GXKSA1, 120В, 75А, 136Вт, PG-TO220-3 (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель IPP114N12N3GXKSA1. Це польовий транзистор з вбудованим каналом (wzbogacany), призначений для роботи з напругою до 120 В та струмом до 75 А. У комплекті поставляється 20 одиниць у корпусі PG-TO220-3.

• Тип транзистора: N-MOSFET, польовий, уніполярний
• Максимальна напруга стік-витік: 120 В
• Максимальний струм стоку: 75 А
• Потужність розсіювання: 136 Вт
• Опір у відкритому стані (Rds): 11.4 мОм
• Корпус: PG-TO220-3, вставний монтаж
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу стік-витік 120 В та максимально допустимий струм стоку 75 А. Максимальна потужність розсіювання становить 136 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 11.4 мОм, що характеризує ефективність провідника при відкритому затворі.

Конструкція та монтаж

Виріб виконаний у корпусі PG-TO220-3 з вставним типом монтажу. Технологія виготовлення — OptiMOS™ 3. Поляризація транзистора — уніполярна, тип каналу — збагачений (wzbogacany).

Комплектація та ідентифікація

У наборі міститься 20 транзисторів. Символ виробника: IPP114N12N3GXKSA1.