Транзистор IGBT Infineon IKP39N65ES5XKSA1, 650 В, 39 А, TO220-3 (набір 10 шт.)

Транзистор IGBT виробництва Infineon Technologies, модель IKP39N65ES5XKSA1. Пристрій виконаний у корпусі TO220-3 із вставним типом монтажу. Максимальна напруга колектор-емітер становить 650 В, а струм колектора — 39 А.

• Тип транзистора: IGBT
• Максимальна напруга колектор-емітер: 650 В
• Максимальний струм колектора: 39 А
• Потужність розсіювання: 94 Вт
• Корпус: TO220-3, вставний монтаж
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з максимально допустимою напругою колектор-емітер 650 В. Максимально допустимий струм колектора дорівнює 39 А. Максимальна потужність розсіювання становить 94 Вт. Заряд затвора становить 70 нКл, а напруга затвор-емітер — ±20 В.

Конструкція та монтаж

Компонент виготовлений за технологією TRENCHSTOP™ 5. Корпус TO220-3 забезпечує вставний тип монтажу. У конструкції передбачено інтегрований антипаралельний діод (integrated anti-parallel diode).

Комплектація та ідентифікація

У комплекті поставляється 10 шт. транзисторів. Символ виробника: IKP39N65ES5XKSA1.