Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated ZXMP6A17GTA, SOT223, 2 Вт (набір 20 шт.)

P-канальний польовий транзистор Diodes Incorporated моделі ZXMP6A17GTA в корпусі SOT223. Тип монтажу: поверхневий, має максимальну потужність розсіювання 2 Вт та опір у відкритому стані 125 мОм.

• Тип транзистора: польовий (P-MOSFET)
• Корпус: SOT223
• Максимальна потужність розсіювання: 2 Вт
• Опір у відкритому стані (Rds): 125 мОм
• Максимально допустима напруга затвор-витік: 20 В
• Тип монтажу: поверхневий
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор є польовим (MOSFET) з P-каналом. Максимально допустима напруга затвор-витік становить 20 В. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 125 мОм.

Конструкція та монтаж

Компонент виконаний у корпусі типу SOT223, призначений для поверхневого монтажу (SMD). Максимальна потужність розсіювання становить 2 Вт.

Комплектація

Товар постачається у вигляді набору, що містить 20 одиниць транзисторів.