Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated ZXMP6A16KTC, DPAK, набір 20 шт.

Транзистор P-MOSFET від Diodes Incorporated, модель ZXMP6A16KTC, у корпусі DPAK. Це уніполярний польовий транзистор з p-каналом збагачення, має тип монтажу «Поверхневий». У комплекті постачається 20 одиниць.

• Тип транзистора: Польовий (P-MOSFET)
• Корпус: DPAK
• Тип монтажу: Поверхневий
• Максимальна потужність розсіювання: 4,24 Вт
• Максимальна напруга затвор-витік: 20 В
• Опір у відкритому стані (Rds): 125 мОм
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри

Максимальна потужність розсіювання становить 4,24 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік дорівнює 20 В. Опір у відкритому стані (Rds) — 125 мОм.

Конструкція та монтаж

Транзистор має тип монтажу «Поверхневий» (SMD). Корпус виконаний у стандарті DPAK. Поляризація — уніполярна, канал — збагачений (enhancement).

Комплектація

У наборі 20 транзисторів.