Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated ZVP2106GTA, SOT223, 2 Вт (набір 20 шт.)

Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated ZVP2106GTA — це польовий транзистор у корпусі SOT223 для поверхневого монтажу. У комплекті 20 одиниць із максимальною потужністю розсіювання 2 Вт.

• Тип транзистора: польовий (P-MOSFET)
• Корпус: SOT223, поверхневий монтаж
• Максимальна потужність: 2 Вт
• Напруга затвор-витік: 20 В
• Опір у відкритому стані: 5000 мОм
• Кількість у наборі: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор є польовим (MOSFET) каналом p-типу з максимальним струмом витоку -0,45 А. Максимальна напруга затвор-витік становить 20 В, а опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 5000 мОм. Максимальна потужність розсіювання обмежена 2 Вт.

Конструкція та монтаж

Компонент виготовлений у корпусі SOT223, що передбачає поверхневий монтаж (SMD). Канал транзистора є збагаченим, а полярність — уніполярною.

Комплектація

Товар постачається набором із 20 транзисторів.