Транзистор N-MOSFET YANGJIE TECHNOLOGY YJG80G06A, 60 В, 50 А, DFN5060-8 (YJG80G06A-YAN) — набір 20 шт.

N-канальний польовий транзистор YANGJIE TECHNOLOGY YJG80G06A у корпусі DFN5060-8. Пристрій виконаний за технологією SPLIT GATE TRENCH та з максимально допустимою напругою 60 В та струмом 50 А.

• Тип транзистора: польовий (N-MOSFET)
• Максимальна напруга стік-витік: 60 В
• Максимальний струм стоку: 50 А
• Опір у відкритому стані (Rds): 5 мОм
• Корпус: DFN5060-8, монтаж поверхневий
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри

Максимально допустима напруга стік-витік становить 60 В, а максимально допустимий струм стоку — 50 А. Максимально допустима напруга затвор-витік обмежена 20 В. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 5 мОм.

Конструкція та монтаж

Транзистор має поверхневий тип монтажу та виконаний у корпусі DFN5060-8. Застосована технологія SPLIT GATE TRENCH визначає конструктивні особливості каналу. Максимальна потужність розсіювання становить 38 Вт.

Додаткові характеристики та комплектація

У комплекті постачається 20 шт. транзисторів.