Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор P-MOSFET WAYON WMQ50P03T1, -30 В, -50 А, 69 Вт, PDFN3030-8 (набір 80 шт.)

2 030 ₴

  • В наявності
  • Код: TM207725
Транзистор P-MOSFET WAYON WMQ50P03T1, -30 В, -50 А, 69 Вт, PDFN3030-8 (набір 80 шт.)
Транзистор P-MOSFET WAYON WMQ50P03T1, -30 В, -50 А, 69 Вт, PDFN3030-8 (набір 80 шт.)В наявності
2 030 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Польовий транзистор WAYON WMQ50P03T1 типу P-MOSFET у корпусі PDFN3030-8. Напруга сток-витік: -30 В, струм стоку: -50 А, максимальна потужність розсіювання: 69 Вт.

  • Напруга сток-витік: -30 В
  • Струм стоку: -50 А
  • Імпульсний струм стоку: -200 А
  • Потужність розсіювання: 69 Вт
  • Опір у відкритому стані: 8,5 мОм
  • Корпус: PDFN3030-8

Електричні параметри

Імпульсний струм стоку (Idm) — -200 А. Максимально допустима напруга затвор-витік — 20 В. Опір у відкритому стані (Rds) — 8,5 мОм. Заряд затвора — 35 нКл.

Конструкція

Транзистор уніполярний, канал збагаченого типу. Корпус — PDFN3030-8, тип монтажу — поверхневий. Символ TME — WMQ50P03T1-CYG.

Комплектація

У наборі 80 шт.

Характеристики
Основні
Максимальна потужність розсіювання69 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік20 В
Опір у відкритому стані (Rds)8.5 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Додаткові характеристики
СтанНовий
Користувальницькі характеристики
Гарантійний термін12 міс
Кількість у комплекті80 шт.
КорпусPDFN3030-8
ВиробникWAYON
Інформація для замовлення
  • Ціна: 2 030 ₴