Транзистор WAYON WMQ26P02TS P-MOSFET, 20 Вт, корпус PDFN3030-8 — набір 50 шт.

P-канальний польовий транзистор WAYON WMQ26P02TS у поверхневому корпусі PDFN3030-8. Максимальна потужність розсіювання становить 20 Вт, а опір у відкритому стані (Rds) — 17 мОм.

• Тип транзистора: польовий (P-MOSFET)
• Тип монтажу: поверхневий (SMD)
• Корпус: PDFN3030-8
• Максимальна потужність розсіювання: 20 Вт
• Опір у відкритому стані (Rds): 17 мОм
• Максимальна напруга затвор-витік: 12 В
• Кількість у комплекті: 50 шт.

Електричні параметри

Транзистор є польовим (MOSFET) з P-каналом. Згідно з даними, максимально допустима напруга затвор-витік (Vgs) становить 12 В. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 17 мОм, що визначає втрати потужності при протіканні струму.

Конструкція та монтаж

Компонент призначений для поверхневого монтажу (SMD). Корпус виконаний у типорозмірі PDFN3030-8. Максимальна потужність розсіювання, яку може витримати транзистор, становить 20 Вт.

Додаткові характеристики з джерела магазину

Згідно з даними магазину, імпульсний струм стоку (Idm) становить -104 А, а заряд затвора — 12 нКл. Канал транзистора є збагачуваним (enhancement mode). Товар постачається набором, що містить 50 штук транзисторів.