Транзистор WAYON WMQ25P06TS, P-MOSFET, 30 Вт, корпус PDFN3030-8 (WMQ25P06TS-CYG) — набір 30 шт.

P-канальний польовий транзистор WAYON WMQ25P06TS у корпусі PDFN3030-8. Призначений для поверхневого монтажу, має максимальну потужність розсіювання 30 Вт та опір у відкритому стані 23 мОм.

• Тип транзистора: польовий (P-MOSFET)
• Потужність розсіювання: 30 Вт
• Опір у відкритому стані: 23 мОм
• Напруга затвор-витік: 20 В
• Корпус: PDFN3030-8
• Монтаж: поверхневий
• Кількість у комплекті: 30 шт.

Електричні параметри

Транзистор є польовим (MOSFET) з P-каналом. Максимальна потужність розсіювання становить 30 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 23 мОм. Максимально допустима напруга затвор-витік — 20 В.

Конструкція та монтаж

Компонент виконаний у корпусі PDFN3030-8. Тип монтажу — поверхневий (SMD).

Додаткові характеристики та комплектація

У комплекті поставляється 30 шт. транзисторів. Імпульсний струм стоку становить -100 А. Заряд затвора дорівнює 59 нКл. Канал збагачуваний, поляризація уніполярна.