Транзистор WAYON WMO25P06T1, P-MOSFET, -60 В, -25 А, TO252 (набір 40 шт.)
1 960 ₴
- В наявності
- Код: TM207710
Транзистор WAYON WMO25P06T1, P-MOSFET, -60 В, -25 А, TO252 (набір 40 шт.)В наявності
1 960 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
P-канальний польовий транзистор WAYON WMO25P06T1 у корпусі TO252 для поверхневого монтажу. Пристрій розрахований на максимальний струм стоку -25 А та напругу стік-витік -60 В.
- Тип транзистора: P-MOSFET (польовий)
- Максимальна напруга стік-витік: -60 В
- Максимальний струм стоку: -25 А
- Опір у відкритому стані (Rds): 40 мОм
- Корпус: TO252 (поверхневий монтаж)
- Кількість у комплекті: 40 шт.
Електричні параметри
Транзистор є уніполярним P-MOSFET з каналом збагачення типу. Максимальна розсіювана потужність становить 44,6 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 40 мОм.
Конструкція та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO252, що призначений для технології поверхневого монтажу (SMD). Максимально допустима напруга затвор-витік (Vgs) обмежена значенням 20 В. Заряд затвора становить 17 нКл, а імпульсний струм стоку може досягати -100 А.
Імпульсні характеристики та заряд затвора
Імпульсний струм стоку (Idm) може досягати -100 А. Заряд затвора становить 17 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 44.6 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 40 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | TO252 |
| Виробник | WAYON |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 960 ₴