Транзистор WAYON WMO20P04T1 — це польовий P-MOSFET транзистор у корпусі TO252 для поверхневого монтажу. Комплект складається з 40 одиниць.
- Тип транзистора: польовий (P-MOSFET)
- Корпус: TO252
- Тип монтажу: поверхневий
- Максимальна потужність розсіювання: 27,8 Вт
- Максимально допустима напруга затвор-витік: 20 В
- Опір у відкритому стані (Rds): 45 мОм
- Кількість у комплекті: 40 шт.
Електричні параметри
Максимальна потужність розсіювання становить 27,8 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік дорівнює 20 В. Опір у відкритому стані (Rds) — 45 мОм. Імпульсний струм стоку становить -80 А. Заряд затвора — 17 нКл.
Конструкція та монтаж
Тип монтажу — поверхневий. Корпус компонента — TO252. Тип транзистора — польовий. Канал — збагачений (wzbogacany). Полярність — уніполярна.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 27.8 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 45 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | TO252 |
| Виробник | WAYON |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 020 ₴

