Транзистор WAYON WMM115N15HG4, N-MOSFET, 150 В, 88 А, корпус TO263 (WMM115N15HG4-CYG) — набір 20 шт.
2 180 ₴
- В наявності
- Код: TM207697
Транзистор WAYON WMM115N15HG4, N-MOSFET, 150 В, 88 А, корпус TO263 (WMM115N15HG4-CYG) — набір 20 шт.В наявності
2 180 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор WAYON WMM115N15HG4 — це польовий N-MOSFET транзистор з максимальним струмом стоку 88 А та напругою стік-витік 150 В. Пристрій виконаний у поверхневому корпусі TO263.
- Тип транзистора: Польовий N-MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік: 150 В
- Максимальний струм стоку: 88 А
- Потужність розсіювання: 178,6 Вт
- Опір у відкритому стані: 11,5 мОм
- Корпус: TO263, монтаж поверхневий
Електричні параметри
Транзистор має максимальну потужність розсіювання 178,6 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік становить 20 В, а опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 11,5 мОм.
Конструкція та монтаж
Компонент має тип монтажу «Поверхневий». Корпус: TO263.
Електричні характеристики каналу та заряду затвора
Згідно з даними, канал транзистора є збагачуваним, а полярність — уніполярною. Заряд затвора становить 45 нКл, а імпульсний струм стоку (Idm) може досягати 352 А.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 178.6 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 150 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 88 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 11.5 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO263 |
| Виробник | WAYON |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 180 ₴