Транзистор WAYON WMJ80N60EM — це польовий N-MOSFET транзистор з технологією WMOS™ EM. Пристрій має максимальну напругу стік-витік 600 В та струм стоку 48 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
- Максимальна напруга стік-витік: 600 В
- Максимальний струм стоку: 48 А
- Опір у відкритому стані (Rds): 43 мОм
- Корпус: TO247-3
- Технологія: WMOS™ EM
Електричні параметри та потужність
Максимально допустима напруга стік-витік становить 600 В, а напруга затвор-витік — 30 В. Максимальний постійний струм стоку дорівнює 48 А, при цьому імпульсний струм може досягати 295 А. Опір у відкритому стані (Rds) складає 43 мОм, що визначає теплові втрати при роботі. Максимальна потужність розсіювання — 430 Вт. Заряд затвора становить 142 нКл, що впливає на швидкість перемикання.
Конструкція та монтаж
Транзистор виконаний у корпусі TO247-3 з вставним типом монтажу. Канал транзистора є збагачуваним, а полярність — уніполярною.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 430 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 48 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 43 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Корпус | TO247-3 |
| Виробник | WAYON |
| Технологія | WMOS™ EM |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 010 ₴

