Транзистор N-MOSFET WAYON WMJ4N150D1, 1,5 кВ, 4 А, TO247-3 (WMJ4N150D1-CYG) — набір 10 шт.

Транзистор WAYON WMJ4N150D1 — це польовий транзистор типу N-MOSFET у корпусі TO247-3. Модель виготовлена за технологією WMOS™ D1 та призначена для роботи з напругою до 1,5 кВ.

• Тип транзистора: N-MOSFET, польовий
• Максимальна напруга: 1,5 кВ
• Струм стоку: 4 А (імпульсний 16 А)
• Потужність розсіювання: 125 Вт
• Корпус: TO247-3, вставний монтаж
• Технологія: WMOS™ D1
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Електричні параметри

Максимально допустима напруга затвор-витік становить 30 В, а струм стоку — 4 А. У імпульсному режимі струм може досягати 16 А. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 125 Вт, а опір у відкритому стані (Rds) — 5400 мОм.

Конструкція та монтаж

Транзистор має вставний тип монтажу та виконаний у корпусі TO247-3. Канал транзистора є збагачуваним (wzbogacany), а полярність — уніполярною. Заряд затвора становить 41 нКл.

Комплектація та ідентифікація

У комплекті постачається 10 шт. транзисторів. Символ TME для цієї моделі — WMJ4N150D1-CYG.