P-канальний польовий транзистор WAYON WMB95P06TS у корпусі PDFN5060-8. Призначений для поверхневого монтажу, має максимальну потужність розсіювання 125 Вт.
- Тип транзистора: польовий (P-MOSFET)
- Максимальна потужність розсіювання: 125 Вт
- Опір у відкритому стані (Rds): 10 мОм
- Корпус: PDFN5060-8
- Тип монтажу: поверхневий
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Електричні параметри
Транзистор є польовим (MOSFET) з каналом p-типу. Максимальна потужність розсіювання становить 125 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 10 мОм.
Конструкція та монтаж
Компонент виконаний у корпусі PDFN5060-8. Тип монтажу — поверхневий (SMD). Максимально допустима напруга затвор-витік становить 20 В.
Додаткові характеристики струму та заряду
Максимальний імпульсний струм стоку (Idm) становить -344 А. Заряд затвора дорівнює 58,4 нКл. Канал є збагачуваним, а полярність — уніполярна.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 125 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 10 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | PDFN5060-8 |
| Виробник | WAYON |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 650 ₴

