Транзистор N-MOSFET WAYON WMB81N03T1, 30 В, 81 А, 59 Вт (WMB81N03T1-CYG) — набір 40 шт.

Транзистор WAYON WMB81N03T1 — це польовий транзистор типу N-MOSFET у корпусі PDFN5060-8. Пристрій розрахований на максимальну напругу стік-витік 30 В та струм стоку 81 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
• Максимальна напруга стік-витік: 30 В
• Максимальний струм стоку: 81 А
• Потужність розсіювання: 59 Вт
• Опір у відкритому стані (Rds): 5.5 мОм
• Корпус: PDFN5060-8 (поверхневий монтаж)
• Кількість у комплекті: 40 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну потужність розсіювання 59 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік становить 20 В, а опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 5.5 мОм. Згідно з даними магазину, струм у імпульсному режимі (Idm) може досягати 324 А, а заряд затвора — 20 нКл.

Конструкція та монтаж

Компонент виконаний у поверхневому монтажі (SMD) у корпусі PDFN5060-8. Канал транзистора є збагачуваним (enhancement mode), а полярність — уніполярною.

Комплектація та ідентифікація

У комплекті поставляється 40 шт. транзисторів.