Транзистор WAYON WMB080N10HG2, N-MOSFET, 100 В, 47 А, PDFN5060-8 (30 шт.)

Транзистор WAYON WMB080N10HG2 — це польовий N-MOSFET у корпусі PDFN5060-8. Комплект містить 30 одиниць. Ключові параметри: напруга стік-витік 100 В, струм стоку 47 А, потужність розсіювання 80,6 Вт.

• Тип транзистора: Польовий (N-MOSFET)
• Максимальна напруга стік-витік: 100 В
• Максимальний струм стоку: 47 А
• Потужність розсіювання: 80,6 Вт
• Опір у відкритому стані (Rds): 8 мОм
• Корпус: PDFN5060-8
• Кількість у комплекті: 30 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу стік-витік 100 В та максимально допустимий струм стоку 47 А. Максимальна потужність розсіювання становить 80,6 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 8 мОм. Максимально допустима напруга затвор-витік — 20 В.

Конструкція та монтаж

Пристрій є польовим транзистором з поверхневим монтажем (SMD). Корпус — PDFN5060-8. Канал типу «wzbogacany» (збагачуваний), поляризація — уніполярна.

Імпульсні характеристики та заряд затвора

У комплекті постачається 30 транзисторів.