P-MOSFET транзистор WAYON WM04P50M у корпусі SOT23. Комплект складається з 60 одиниць.
- Тип транзистора: Польовий (P-MOSFET)
- Корпус: SOT23
- Максимальна потужність розсіювання: 1,2 Вт
- Максимально допустима напруга затвор-витік: 20 В
- Опір у відкритому стані (Rds): 85 мОм
- Тип монтажу: Поверхневий
- Кількість у комплекті: 60 шт.
Електричні параметри
Транзистор є польовим (MOSFET) з каналом p-типу. Максимальна потужність розсіювання становить 1,2 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік дорівнює 20 В.
Опір та монтаж
Опір у відкритому стані (Rds) становить 85 мОм. Тип монтажу — поверхневий (SMD). Корпус компонента — SOT23. Полярність транзистора — уніполярна.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 1.2 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 85 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 60 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Виробник | WAYON |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 010 ₴

