Транзистор WAYON WM02P160R, P-MOSFET, -20 В, -16 А, DFN2020-6 (WM02P160R-CYG) — набір 40 шт.
1 940 ₴
- В наявності
- Код: TM207668
Транзистор WAYON WM02P160R, P-MOSFET, -20 В, -16 А, DFN2020-6 (WM02P160R-CYG) — набір 40 шт.В наявності
1 940 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
P-канальний польовий транзистор WAYON WM02P160R у корпусі DFN2020-6. Пристрій має максимальну напругу стік-витік -20 В та струм стоку -16 А.
- Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга стік-витік: -20 В
- Струм стоку: -16 А, імпульсний: -64 А
- Потужність розсіювання: 6,5 Вт
- Корпус: DFN2020-6, монтаж: поверхневий
- Опір у відкритому стані: 17 мОм
- Напруга затвор-витік: 10 В
- Кількість у комплекті: 40 шт.
Електричні параметри
Транзистор є польовим (MOSFET) з каналом типу «wzbogacany» (збагачений) та уніполярною поляризацією. Максимальна розсіювана потужність становить 6,5 Вт. Імпульсний струм стоку (Idm) досягає -64 А, а заряд затвора — 28 нКл.
Конструкція та монтаж
Компонент виконаний у поверхневому монтажі (SMD) у корпусі DFN2020-6. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 17 мОм. Максимально допустима напруга затвор-витік — 10 В.
Комплектація
У наборі постачається 40 шт. транзисторів. Символ TME для цієї моделі — WM02P160R-CYG.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 6.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 10 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 17 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | DFN2020-6 |
| Виробник | WAYON |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 940 ₴