
Транзистор WAYON WM02DN095C, N-MOSFET x2, 20 В, 9,5 А, DFN2030-6 (WM02DN095C-CYG) — набір 40 шт.
2 360 ₴
- В наявності
- Код: TM207662
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор WAYON WM02DN095C — це набір із 40 польових транзисторів типу N-MOSFET у корпусі DFN2030-6. Призначений для поверхневого монтажу, має максимальну напругу стік-витік 20 В та струм стоку 9,5 А.
- Тип: N-MOSFET x2, польовий транзистор
- Максимальна напруга стік-витік: 20 В
- Максимальний струм стоку: 9,5 А
- Опір у відкритому стані (Rds): 9,4 мОм
- Корпус: DFN2030-6, поверхневий монтаж
- Кількість у комплекті: 40 шт.
Електричні параметри
Транзистор є польовим (FET) з каналом типу N. Максимально допустима напруга між стоком та витоком становить 20 В, а між затвором та витоком — 12 В. Максимальний постійний струм стоку дорівнює 9,5 А, при цьому імпульсний струм може досягати 60 А. Опір у відкритому стані (Rds) становить 9,4 мОм. Загальна максимальна потужність розсіювання — 1,56 Вт.
Конструкція та монтаж
Компонент виконаний у корпусі DFN2030-6, що передбачає поверхневий монтаж (SMD).
Додаткові характеристики заряду затвора та структури напівпровідника
Заряд затвора становить 22 нКл. Структура напівпровідника має спільний дрен, а канал є збагачуваним.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 1.56 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 12 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 9.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 9.4 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | DFN2030-6 |
| Виробник | WAYON |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 360 ₴
