Транзисторний модуль IGBT VISHAY VS-GT100DA120UF, 1,2 кВ, 100 А, SOT227B
3 890 ₴
- В наявності
- Код: TM207596
Транзисторний модуль IGBT VISHAY VS-GT100DA120UF, 1,2 кВ, 100 А, SOT227BВ наявності
3 890 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзисторний модуль IGBT VISHAY VS-GT100DA120UF у корпусі SOT227B. Структура — один транзистор, максимальна зворотна напруга — 1,2 кВ, струм Ic — 100 А.
- Тип: модуль IGBT, один транзистор
- Максимальна зворотна напруга: 1,2 кВ
- Струм Ic: 100 А
- Напруга затвор – емітер: ±20 В
- Корпус: SOT227B
- Монтаж: гвинтовий
Електричні параметри
Напруга затвор – емітер становить ±20 В. Модуль виготовлено за технологією Trench, він має вбудований антипаралельний діод.
Конструкція та монтаж
Механічний монтаж — гвинтовий, електричне підключення — також гвинтове.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимально допустимий струм колектора | 240 А |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Корпус | SOT227B |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 890 ₴