Транзистор ONSEMI UJ4C075060K4S SiC N-MOSFET 750V 20.6A (2 шт.)

Транзистор ONSEMI UJ4C075060K4S — це комплект із двох польових транзисторів технології SiC. Пристрої мають максимальну напругу стік-витік 750 В та струм стоку 20,6 А.

• Технологія SiC (карбід кремнію)
• Максимальна напруга стік-витік: 750 В
• Максимальний струм стоку: 20,6 А
• Опір у відкритому стані: 147 мОм
• Корпус: TO247-4
• У комплекті: 2 шт.

Електричні параметри

Транзистори працюють із максимально допустимою напругою стік-витік 750 В та напругою затвор-витік 25 В. Максимально допустимий струм стоку становить 20,6 А, а опір у відкритому стані (Rds) — 147 мОм. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 155 Вт.

Конструкція та монтаж

Компоненти виготовлені за технологією SiC (карбід кремнію) у корпусі TO247-4. Тип монтажу — вставний (THT). Транзистори є польовими, з каналом типу «wzbogacany» (збагачуваний) та уніполярною поляризацією.

Додаткові характеристики та комплектація

У наборі постачається 2 транзистори. Заряд затвора становить 37,8 нКл, а імпульсний струм стоку — 62 А.