Транзистор N-MOSFET Taiwan Semiconductor TSM048NB06LCR RLG, 60В, 16А, PDFN56U (10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Taiwan Semiconductor TSM048NB06LCR RLG — це польовий транзистор з каналом збагачення, розрахований на максимальну напругу стік-витік 60 В та струм стоку 16 А. Прилад виконаний у поверхневому корпусі PDFN56U та має максимальну потужність розсіювання 45 Вт.

• Тип транзистора: польовий N-MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік: 60 В
• Максимальний струм стоку: 16 А
• Потужність розсіювання: 45 Вт
• Опір у відкритому стані: 4.8 мОм
• Корпус: PDFN56U (поверхневий монтаж)
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Електричні параметри

Максимально допустима напруга стік-витік становить 60 В, а напруга затвор-витік — 20 В. Максимальний струм стоку дорівнює 16 А, що визначає робочий діапазон пристрою. Опір у відкритому стані (Rds) складає 4.8 мОм, що впливає на теплові втрати при комутації. Загальний заряд затвора — 105 нКл.

Конструкція та монтаж

Транзистор має поверхневий тип монтажу та виконаний у корпусі PDFN56U. Це однополярний (unipolarny) прилад з каналом збагачення (wzbogacany). Максимальна потужність розсіювання обмежена 45 Вт, що враховується при розрахунку системи охолодження.

Комплектація та ідентифікація

У комплекті постачається 10 шт. транзисторів.