Транзистор N-MOSFET TOSHIBA TK65E10N1, 100В, 148А, 192Вт, TO220-3 (TK65E10N1,S1X (TK65E10N1,S1X — набір 20 шт.
2 630 ₴
- В наявності
- Код: TM207058
Транзистор N-MOSFET TOSHIBA TK65E10N1, 100В, 148А, 192Вт, TO220-3 (TK65E10N1,S1X (TK65E10N1,S1X — набір 20 шт.В наявності
2 630 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET TOSHIBA TK65E10N1 — польовий транзистор з вбудованим каналом у корпусі TO220-3. Комплект складається з 20 одиниць.
- Тип транзистора: польовий N-MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік: 100 В
- Максимальний струм стоку: 148 А
- Максимальна потужність розсіювання: 192 Вт
- Опір у відкритому стані: 4 мОм
- Корпус: TO220-3
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Максимальна напруга стік-витік становить 100 В, а максимально допустимий струм стоку — 148 А. У імпульсному режимі струм може досягати 296 А. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 192 Вт.
Опір та керування затвором
Опір у відкритому стані (Rds) становить 4 мОм. Максимально допустима напруга затвор-витік обмежена 20 В. Загальний заряд затвора — 81 нКл.
Комплектація
У комплекті 20 шт. транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Максимальна потужність розсіювання | 192 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 148 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 4 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 630 ₴