Транзистор N-MOSFET Toshiba TK31E60W, 600 В, 30,8 А, TO220AB (TK31E60W,S1VX (TK31E60W,S1VX — набір 5 шт.

Транзистор N-MOSFET Toshiba TK31E60W — це польовий транзистор з каналом типу enhancement (wzbogacany) у корпусі TO220AB. Модель розрахована на максимальну напругу стік-витік 600 В та струм стоку 30,8 А при потужності розсіювання 230 Вт.

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
• Максимальна напруга стік-витік: 600 В
• Максимальний струм стоку: 30,8 А
• Потужність розсіювання: 230 Вт
• Опір у відкритому стані (Rds): 73 мОм
• Корпус: TO220AB, вставний монтаж
• Кількість у комплекті: 5 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу стік-витік 600 В та напругу затвор-витік 30 В. Максимально допустимий струм стоку становить 30,8 А, а опір у відкритому стані (Rds) — 73 мОм. Заряд затвора становить 86 нКл.

Конструкція та монтаж

Компонент виконаний у корпусі TO220AB з вставним типом монтажу. Транзистор є уніполярним (unipolarny) з каналом типу enhancement (wzbogacany).

Комплектація

У комплекті постачається 5 шт. транзисторів.