Транзистор P-MOSFET VISHAY SUM90P10-19L-E3, TrenchFET®, -100 В, -90 А, 125 Вт, D2PAK (набір 5 шт.)
2 230 ₴
- В наявності
- Код: TM206884
Транзистор P-MOSFET VISHAY SUM90P10-19L-E3, TrenchFET®, -100 В, -90 А, 125 Вт, D2PAK (набір 5 шт.)В наявності
2 230 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор VISHAY SUM90P10-19L-E3 — уніполярний (польовий) транзистор P-MOSFET за технологією TrenchFET® у корпусі D2PAK (TO263), тип монтажу — поверхневий. Основні параметри з найменування TME: -100 В, -90 А. У наборі 5 шт.
- Параметри з найменування TME: -100 В, -90 А
- Максимальна потужність розсіювання: 125 Вт
- Опір у відкритому стані (Rds): 19 мОм
- Напруга затвор-витік (макс.): 20 В
- Корпус: D2PAK (TO263)
- Кількість у наборі: 5 шт.
Електричні параметри
Максимальна потужність розсіювання — 125 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік — 20 В. Опір у відкритому стані (Rds) — 19 мОм. Імпульсний струм стоку: -90 А. Заряд затвора — 326 нКл. Режим роботи каналу — збагачення.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 125 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 19 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | D2PAK, TO263 |
| Технологія | TrenchFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 230 ₴