Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор P-MOSFET VISHAY SUM110P04-05-E3, TrenchFET®, -40 В, -33 А, 375 Вт, D2PAK (набір 5 шт.)

2 420 ₴

  • В наявності
  • Код: TM206881
Транзистор P-MOSFET VISHAY SUM110P04-05-E3, TrenchFET®, -40 В, -33 А, 375 Вт, D2PAK (набір 5 шт.)
Транзистор P-MOSFET VISHAY SUM110P04-05-E3, TrenchFET®, -40 В, -33 А, 375 Вт, D2PAK (набір 5 шт.)В наявності
2 420 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор VISHAY SUM110P04-05-E3 — уніполярний (польовий) транзистор P-MOSFET за технологією TrenchFET® у корпусі D2PAK (TO263), тип монтажу — поверхневий. Основні параметри з найменування TME: -40 В, -33 А. У наборі 5 шт.

  • Параметри з найменування TME: -40 В, -33 А
  • Максимальна потужність розсіювання: 375 Вт
  • Опір у відкритому стані (Rds): 5 мОм
  • Напруга затвор-витік (макс.): 20 В
  • Корпус: D2PAK (TO263)
  • Кількість у наборі: 5 шт.

Електричні параметри

Максимальна потужність розсіювання — 375 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік — 20 В. Опір у відкритому стані (Rds) — 5 мОм. Заряд затвора — 280 нКл. Режим роботи каналу — збагачення.

Характеристики
Основні
ВиробникVishay Intertechnology
Максимальна потужність розсіювання375 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік20 В
Опір у відкритому стані (Rds)5 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Додаткові характеристики
СтанНовий
Користувальницькі характеристики
Гарантійний термін12 міс
Кількість у комплекті5 шт.
КорпусD2PAK, TO263
ТехнологіяTrenchFET®
Інформація для замовлення
  • Ціна: 2 420 ₴