Транзистор P-MOSFET Vishay SUD50P08-25L-E3, TrenchFET, DPAK, набір 10 шт.
2 930 ₴
- В наявності
- Код: TM206880
Транзистор P-MOSFET Vishay SUD50P08-25L-E3, TrenchFET, DPAK, набір 10 шт.В наявності
2 930 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET Vishay SUD50P08-25L-E3 — це польовий транзистор з каналом збагачення, виготовлений за технологією TrenchFET®. Прилад має максимальну напругу затвор-витік 20 В та опір у відкритому стані 25,2 мОм. Корпус DPAK (TO252) призначений для поверхневого монтажу.
- Тип транзистора: польовий P-MOSFET
- Технологія: TrenchFET®
- Максимальна напруга затвор-витік: 20 В
- Опір у відкритому стані: 25,2 мОм
- Максимальна потужність розсіювання: 95 Вт
- Корпус: DPAK (TO252), поверхневий монтаж
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор є уніполярним P-типом з каналом збагачення. Максимально допустима напруга затвор-витік становить 20 В. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 25,2 мОм.
Комплектація
У наборі постачається 10 транзисторів.
Конструкція та монтаж
Компонент виконаний у корпусі DPAK (TO252) для поверхневого монтажу. Технологія TrenchFET® використовується для створення структури транзистора.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 95 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 25.2 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | DPAK, TO252 |
| Технологія | TrenchFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 930 ₴