Транзистор P-MOSFET Vishay SUD08P06-155L-GE3, TrenchFET, DPAK, 20 шт.
2 650 ₴
- В наявності
- Код: TM206878
Транзистор P-MOSFET Vishay SUD08P06-155L-GE3, TrenchFET, DPAK, 20 шт.В наявності
2 650 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET Vishay SUD08P06-155L-GE3 — це польовий транзистор із каналом збагачення, виготовлений за технологією TrenchFET®. Пристрій має максимальну потужність розсіювання 20,8 Вт та опір у відкритому стані 350 мОм.
- Тип транзистора: польовий (P-MOSFET)
- Технологія: TrenchFET®
- Корпус: DPAK (TO252)
- Максимальна потужність розсіювання: 20,8 Вт
- Опір у відкритому стані (Rds): 350 мОм
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор є уніполярним із каналом збагачення. Максимально допустима напруга затвор-витік становить 20 В. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 350 мОм, що визначає втрати при пропусканні струму.
Конструкція та монтаж
Компонент виконаний у корпусі DPAK (TO252) із поверхневим монтажем. Технологія TrenchFET® забезпечує специфічні характеристики польового транзистора.
Струм та заряд затвора (дані магазину)
У комплекті поставляється 20 шт. транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 20.8 Вт |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 350 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK, TO252 |
| Технологія | TrenchFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 650 ₴