Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STY60NM60, 600 В, 37,8 А, MAX247 (2 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STY60NM60 — це польовий транзистор з каналом збагачення, розрахований на напругу стік-витік до 600 В та струм стоку 37,8 А. Прилад виготовлений за технологією MDmesh™ у корпусі MAX247 та має захист від електростатичного розряду (ESD).

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
• Максимальна напруга стік-витік: 600 В
• Максимальний струм стоку: 37,8 А
• Потужність розсіювання: 460 Вт
• Опір у відкритому стані: 55 мОм
• Корпус: MAX247, монтаж вставний
• Захист ESD, технологія MDmesh™
• Кількість у комплекті: 2 шт.

Електричні параметри

Максимальна напруга стік-витік становить 600 В. Струм стоку дорівнює 37,8 А, а максимальний імпульсний струм — 60 А. Максимальна потужність розсіювання — 460 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) — 55 мОм.

Конструкція та монтаж

Транзистор виконаний у корпусі MAX247 з вставним типом монтажу. Версія ESD вказує на наявність вбудованого захисту від електростатичного розряду. Технологія виготовлення: MDmesh™.

Комплектація

У комплекті поставки знаходиться 2 шт. транзисторів. Символ виробника STY60NM60 відповідає моделі з каналом збагачення та уніполярною поляризацією.