Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STU10NM60N, 600 В, 5 А, IPAK (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STU10NM60N — це польовий транзистор з каналом, що збагачується, у корпусі IPAK. Прилад розрахований на максимальну напругу стік-витік 600 В та струм стоку 5 А.

• Тип транзистора: польовий (N-MOSFET)
• Максимальна напруга стік-витік: 600 В
• Максимальний струм стоку: 5 А
• Потужність розсіювання: 70 Вт
• Опір у відкритому стані: 550 мОм
• Корпус: IPAK, вставний монтаж
• Технологія: MDmesh™ II
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу стік-витік 600 В та максимально допустимий струм стоку 5 А. Максимальна потужність розсіювання становить 70 Вт, а опір у відкритому стані (Rds) — 550 мОм. Максимально допустима напруга затвор-витік обмежена значенням 25 В.

Конструкція та монтаж

Прилад виготовлений за технологією MDmesh™ II та має вставний тип монтажу. Корпус IPAK забезпечує стандартне компонування для друкованих плат. Транзистор є однополярним (unipolarny) з каналом, що збагачується.

Комплектація

У комплекті поставляється 20 шт. транзисторів.