
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STS5DNF20V, 20 В, 5 А, SO8 (набір 100 шт.)
1 890 ₴
- В наявності
- Код: TM206845
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STS5DNF20V — це польовий транзистор з каналом збагачення, що працює за технологією STripFET™ II. Прилад має максимальну напругу стік-витік 20 В, струм стоку 5 А та потужність розсіювання 1,6 Вт. Корпус SO8 забезпечує поверхневий монтаж (SMD).
- Тип транзистора: польовий N-MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік: 20 В
- Максимальний струм стоку: 5 А
- Опір у відкритому стані (Rds): 40 мОм
- Корпус: SO8, монтаж: поверхневий
- Кількість у наборі: 100 шт.
Електричні параметри
Транзистор характеризується максимально допустимою напругою стік-витік 20 В та напругою затвор-витік 12 В. Максимально допустимий струм стоку становить 5 А, а опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 40 мОм. Максимальна потужність розсіювання обмежена значенням 1,6 Вт.
Конструкція та монтаж
Прилад виготовлений у корпусі SO8, що призначений для поверхневого монтажу. Транзистор є однополярним (unipolar) з каналом збагачення (enhancement mode). Використовується технологія виробництва STripFET™ II.
Комплектація
У комплекті постачається 100 транзисторів STS5DNF20V від виробника STMicroelectronics. Символ TME для даного товару: STS5DNF20V.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.6 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 12 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 40 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 100 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технологія | STripFET™ II |
- Ціна: 1 890 ₴
