Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP8NM50N, 500 В, 3 А, 45 Вт (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP8NM50N — це польовий транзистор з каналом збагачення, виготовлений за технологією MDmesh™ II. Пристрій розрахований на максимальну напругу стік-витік 500 В та струм стоку 3 А при потужності розсіювання 45 Вт.

• Тип транзистора: польовий N-MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік: 500 В
• Максимальний струм стоку: 3 А
• Потужність розсіювання: 45 Вт
• Опір у відкритому стані: 790 мОм
• Корпус: TO220-3, вставний монтаж
• Технологія: MDmesh™ II
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу стік-витік 500 В та максимально допустимий струм стоку 3 А. Опір у відкритому стані (Rds) становить 790 мОм, що визначає теплові втрати при роботі. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 45 Вт, а напруга затвор-витік обмежена 25 В.

Конструкція та монтаж

Компонент виконаний у корпусі TO220-3 з вставним типом монтажу. Це уніполярний транзистор з каналом збагачення.

Комплектація

У наборі постачається 10 шт. транзисторів STP8NM50N.