Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP8NK100Z, 1000 В, 4.3 А, TO220-3 (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP8NK100Z — це польовий транзистор з каналом збагачення (wzbogacany) у корпусі TO220-3. Комплект складається з 5 одиниць. Прилад має максимальну напругу стік-витік 1000 В та струм стоку 4.3 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий, канал збагачення)
• Максимальна напруга стік-витік: 1000 В
• Максимальний струм стоку: 4.3 А
• Потужність розсіювання: 160 Вт
• Корпус: TO220-3, вставний монтаж
• Комплектація: 5 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на високу напругу: максимально допустима напруга стік-витік становить 1000 В, а затвор-витік — 30 В. Максимальний струм стоку дорівнює 4.3 А. Опір у відкритому стані (Rds) — 1850 мОм.

Потужність та конструкція

Максимальна потужність розсіювання — 160 Вт. Транзистор виготовлений за технологією SuperMesh™ та має версію ESD. Корпус TO220-3 призначений для вставного монтажу. Транзистор є уніполярним (polaryzacja: unipolarny).