Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP4NK80Z, 800 В, 1,89 А, TO220-3 (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP4NK80Z — це польовий транзистор з каналом збагачення (enhancement mode) у корпусі TO220-3. Пристрій має максимальну напругу стік-витік 800 В та струм стоку 1,89 А. У комплекті поставляється 10 одиниць.

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий, збагачений канал)
• Максимальна напруга стік-витік: 800 В
• Максимальний струм стоку: 1,89 А
• Потужність розсіювання: 80 Вт
• Корпус: TO220-3, вставний монтаж
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на високу напругу: максимально допустима напруга стік-витік становить 800 В, а напруга затвор-витік — 30 В. Максимальний струм стоку дорівнює 1,89 А. Опір у відкритому стані (Rds) складає 3500 мОм.

Потужність та конструкція

Максимальна потужність розсіювання транзистора — 80 Вт. Пристрій виготовлений за технологією SuperMesh™ у версії ESD. Корпус TO220-3 призначений для вставного монтажу.

Комплектація

У наборі знаходиться 10 транзисторів STP4NK80Z.