
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP42N65M5, 650 В, 20.8 А, 190 Вт (TO220-3) — набір 3 шт.
2 560 ₴
- В наявності
- Код: TM206812
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP42N65M5 — силовий польовий транзистор з технологією MDmesh™ V. Пристрій розрахований на максимальну напругу стік-витік 650 В та струм стоку 20.8 А при потужності розсіювання 190 Вт.
- Тип транзистора: польовий N-MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік: 650 В
- Максимальний струм стоку: 20.8 А
- Потужність розсіювання: 190 Вт
- Опір у відкритому стані: 79 мОм
- Корпус: TO220-3, вставний монтаж
- Кількість у комплекті: 3 шт.
Електричні параметри
Максимально допустима напруга стік-витік становить 650 В. Максимальний струм стоку дорівнює 20.8 А, а опір у відкритому стані (Rds) — 79 мОм. Максимальна потужність розсіювання — 190 Вт. Напруга затвор-витік обмежена значенням 25 В.
Конструкція та монтаж
Транзистор виконаний у корпусі TO220-3 з вставним типом монтажу. Канал транзистора — збагачений (wzbogacany), полярність — уніполярна. Версія пристрою позначена як ESD.
Комплектація
У комплекті поставки знаходиться 3 шт. транзисторів STP42N65M5 від виробника STMicroelectronics.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 190 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 20.8 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 79 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | MDmeshTM В |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 560 ₴
