Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP310N10F7, 100 В, 120 А, 315 Вт (5 шт.)
2 210 ₴
- В наявності
- Код: TM206809
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP310N10F7, 100 В, 120 А, 315 Вт (5 шт.)В наявності
2 210 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP310N10F7 — це польовий транзистор з каналом збагачення (wzbogacany) та технологією DeepGATE™. У комплекті 5 шт. у корпусі TO220-3.
- Тип транзистора: польовий N-MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік: 100 В
- Максимальний струм стоку: 120 А
- Потужність розсіювання: 315 Вт
- Опір у відкритому стані: 2.7 мОм
- Корпус: TO220-3
- Кількість у комплекті: 5 шт.
Електричні параметри
Максимальна напруга стік-витік становить 100 В, а максимально допустимий струм стоку — 120 А. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 315 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) — 2.7 мОм.
Конструкція та монтаж
Транзистор виготовлений у корпусі TO220-3 з вставним типом монтажу. Застосована технологія DeepGATE™ та STripFET™ VII. Поляризація транзистора — уніполярна.
Комплектація
У наборі 5 транзисторів. Символ виробника: STP310N10F7.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 315 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 120 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2.7 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | DeepGATE™, STripFET™ VII |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 210 ₴