Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP24NM60N, 650 В, 11 А, TO220-3 (10 шт.)
2 720 ₴
- В наявності
- Код: TM206805
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP24NM60N, 650 В, 11 А, TO220-3 (10 шт.)В наявності
2 720 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP24NM60N — це польовий транзистор з каналом збагачення, виготовлений за технологією MDmesh™ II. Прилад має максимальну напругу стік-витік 650 В та струм стоку 11 А. У комплекті постачається 10 одиниць у корпусі TO220-3.
- Тип: N-MOSFET, польовий транзистор
- Напруга стік-витік: 650 В
- Струм стоку: 11 А (імпульсний 68 А)
- Опір відкритого стану: 190 мОм
- Корпус: TO220-3, вставний монтаж
- Комплект: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу стік-витік 650 В та напругу затвор-витік 30 В. Максимально допустимий струм стоку становить 11 А, а імпульсний струм може досягати 68 А. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 190 мОм. Максимальна потужність розсіювання — 125 Вт.
Конструкція та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO220-3 з вставним типом монтажу. Транзистор є уніполярним з каналом збагачення (enhancement mode). Заряд затвора становить 44 нКл.
Комплектація
У наборі постачається 10 транзисторів STP24NM60N.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 125 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 11 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 190 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | MDmesh™ II |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 720 ₴