Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP12NM50, 500 В, 7,5 А, TO220-3 (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP12NM50 — це польовий транзистор з каналом збагачення. Модель має максимальну напругу стік-витік 500 В та струм стоку 7,5 А, що визначає її робочі межі. У комплекті постачається 5 одиниць у корпусі TO220-3.

• Тип транзистора: польовий (N-MOSFET)
• Максимальна напруга стік-витік: 500 В
• Максимальний струм стоку: 7,5 А
• Потужність розсіювання: 160 Вт
• Корпус: TO220-3, монтаж вставний
• Кількість у комплекті: 5 шт.

Електричні параметри

Транзистор характеризується максимально допустимою напругою стік-витік 500 В та напругою затвор-витік 30 В. Максимально допустимий струм стоку становить 7,5 А, а опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 350 мОм.

Потужність та конструкція

Максимальна потужність розсіювання транзистора становить 160 Вт. Компонент виконаний у корпусі TO220-3. Тип монтажу — вставний.

Комплектація

У наборі постачається 5 шт. транзисторів STP12NM50. Полярність транзистора — уніполярна, канал — збагачений.