Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP12NK30Z, 300 В, 5,6 А, TO220-3 (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP12NK30Z — польовий транзистор з каналом збагачення (unipolar) у корпусі TO220-3. Комплект складається з 10 одиниць. Ключові параметри: напруга стік-витік 300 В, струм стоку 5,6 А, потужність розсіювання 90 Вт.

• Тип транзистора: N-MOSFET, польовий
• Максимальна напруга стік-витік: 300 В
• Максимальний струм стоку: 5,6 А
• Потужність розсіювання: 90 Вт
• Корпус: TO220-3, вставний монтаж
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 300 В та напругу затвор-витік 30 В. Максимально допустимий струм стоку становить 5,6 А при максимальній потужності розсіювання 90 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 400 мОм.

Конструкція та монтаж

Прилад виготовлений за технологією SuperMesh™ та має версію ESD. Корпус TO220-3 призначений для вставного монтажу. Тип транзистора — польовий, канал — збагачений (wzbogacany).

Комплектація

У наборі 10 шт. транзисторів STP12NK30Z.