Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP12N120K5, 1200 В, 7.6 А (набір 3 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP12N120K5 — це польовий транзистор з технологією MDmesh™ K5 у корпусі TO220-3. Призначений для роботи зі струмом стоку 7.6 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET, польовий
• Технологія: MDmesh™ K5
• Корпус: TO220-3, вставний монтаж
• Максимальна напруга стік-витік: 1200 В
• Максимальний струм стоку: 7.6 А
• Опір у відкритому стані: 690 мОм
• У комплекті: 3 шт.

Електричні параметри

Максимальна напруга затвор-витік становить 30 В. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 7.6 А, при цьому імпульсний струм може сягати 48 А. Опір у відкритому стані (Rds) — 690 мОм.

Конструкція та монтаж

Транзистор виготовлений у корпусі TO220-3 з вставним типом монтажу. Канал транзистора є збагачуваним, а полярність — уніполярною. Максимальна потужність розсіювання становить 250 Вт.

Комплектація

У наборі постачається 3 транзистори.